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PEMB2,115 |
SOT-563，SOT-666 | NXP Semiconductors | 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923 询价QQ：  |
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PEMB2,115参数 产品类别：分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 说明：TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666 包装数量：4000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：47k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：80 @ 5mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）：1µA 频率 - 转换：- 功率 - 最大：300mW 安装类型：表面贴装 |
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